供应场效应管 SI4166DY-T1-GE3

场效应管 SI4166DY-T1-GE3 型号：SI4166DY-T1-GE3 晶体管极性：N-Channel 汲极源极击穿电压：30V 闸源击穿电压：+/- 20 V 漏极连续电流：20.5A 电阻汲极源极RDS（导通）：0.0045 Ohms 配置：Single Quad Drain Triple Source 大工作温度：﹢150C 安装风格：SMD/SMT 封装/箱体：SOIC-8 Narrow 下降时间：15ns 正向跨导gFS(大值/小值）：65S 小工作温度：﹣55°C 功率耗散：3W 上升时间：19ns 工厂包装数量：2500PCS/盘 典型关闭延迟时间：35ns 零件号别名：SI4166DY-GE3 本公司长期供应 SI4166DY-T1-GE3 郑重承诺：保证原装正品，假一赔十！