深圳市裕华美电子有限公司
型号：IRF840PBF 品牌：IR IR系列原装现货 １）V DS :大工作电压５００v .２）V DG(20KΩ)耐压５００Ｖ。 ３）Ｖ GS 栅源电压 正负２０Ｖ ４）ＩＤ ２５度时８Ａ,１ＯＯ度时５．１Ａ ５）ＩＤＭ大工作电流３２Ａ ６）Ｐtot 温度２５度时峰值功率１２５Ｗ ７）Ｄv/Ｄt 二极管恢复电压峰值斜率3.5v/ns ８） 工作温度范围－６５－－－－１５０度 要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz IRFZ44 IRF740 IRF9630 IRF730N IRF9640 IRF9Z24 IRF9024 IFR740N IRFP460 IRF2153 IRF840N IRF830 IRF9530N IRF9540 IRFP250NPBF IRF640N IRF540 IRF530N IRF5505 IR2112S IFR3205PBF IRF3710 IRFP360 IRF50N06 IRFP5305PBF IRF4905PBF IRF7341TRPBF IRF7342TRPBF