IRF3710PBF IRF3710 TO-220 100V 57A N道沟MOS管场效应管

IRF3710PBF IRF3710 TO-220 100V 57A N道沟MOS管场效应管 原装 型号：IRF3710PBF 包装：1000/盒 类别：分立半导体产品 产品族：晶体管 FET MOSEFT 单 系列：HECFET FET类型：N道沟 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：100V 驱动电压：10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On：23 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）：4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷：130nC @ 10V Vgs：±20V 不同 Vds 时的输入电容：3130pF @ 25V 功率耗散：200W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 封装：TO-220AB