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场效应管FQA11N90C-F109供应批发图1

场效应管FQA11N90C-F109供应批发

2019-01-23 00:41IP属地 广东佛山7570询价
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产品详情


深圳市凯利讯科技有限公司

凯利讯半导体(深圳)有限公司 场效应管FQA11N90C-F109供应商,场效应管FQA11N90C-F109报价,场效应管FQA11N90C-F109现货 场效应管型号大全 参数:   通道类型 N   大连续漏极电流 11 A   大漏源电压 900 V   大漏源电阻值 1.4 Ω   小栅阈值电压 3V   大栅源电压 -30 V、+30 V   封装类型 TO-3PN   安装类型 通孔   晶体管配置 单   引脚数目 3   通道模式 增强   类别功率 MOSFET   大功率耗散 300 W   典型接通延迟时间 60 ns   典型关断延迟时间 130 ns   典型输入电容值@Vds 2530 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V   低工作温度 -55 °C   晶体管材料 Si   宽度 5mm   每片芯片元件数目 1   系列 QFET   高度 18.9mm   长度 15.8mm   高工作温度 +150 °C   尺寸 15.8 x 5 x 18.9mm   特点   与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。   (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);   (2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。   (3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;   (4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;   (5)场效应管的抗辐射能力强;   (6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。   作用   1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。   2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。   3.场效应管可以用作可变电阻。   4.场效应管可以方便地用作恒流源。   5.场效应管可以用作电子开关。 - 价格优势 欢迎咨询 姓名:刘晓婷 QQ:3004746323 QQ邮箱:3004746323@qq.com 电话:0755-88605656

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